اسم المنتج: IRFP460 رقاقة N- قناة الترانزستور اللون: أسود + فضي مواد:بلاستيك + معدن تيار:20A الجهد االكهربى:500 فولت MOSFET (ترانزستور التأثير الميداني لأشباه الموصلات بأكسيد المعادن ، وضوحا MAWS-feht) هو نوع خاص من ترانزستور التأثير الميداني (FET) الذي يعمل عن طريق تغيير عرض القناة إلكترونيا التي تتدفق عبرها حاملات الشحنة (الإلكترونات أو الثقوب). القناة ، كان الجهاز أفضل. تدخل ناقلات الشحن القناة عند ، وتخرج عبر الصرف. يتم التحكم في عرض القناة عن طريق الجهد على قطب كهربائي يسمى البوابة ، والذي يقع فعليا بين الصرف ويتم عزله عن القناة بطبقة رقيقة للغاية من أكسيد المعدن. هناك طريقتان يمكن أن يعمل بهما MOSFET. الأول يعرف باسم وضع النضوب. عندما لا يكون هناك جهد على البوابة ، تعرض القناة أقصى موصلية. مع زيادة الجهد على البوابة (إما بشكل إيجابي أو سلبي ، اعتمادا على ما إذا كانت القناة مصنوعة من مادة أشباه الموصلات من النوع P أو N) ، تنخفض موصلية القناة. الطريقة الثانية التي يمكن أن يعمل بها MOSFET تسمى وضع التحسين. عندما لا يكون هناك جهد على البوابة ، لا توجد قناة في الواقع ، ولا يتم إجراء الجهاز. يتم إنتاج قناة عن طريق تطبيق الجهد على البوابة. كلما زاد جهد البوابة ، كان الجهاز أفضل. محتويات الحزمة: 5 قطع × الترانزستور ملاحظة: قد يتسبب الضوء والشاشات المختلفة في اختلاف لون العنصر في الصورة قليلا عن الشيء الحقيقي. خطأ القياس المسموح به هو +/- 1-3 سم.